AMB陶瓷基板已成为关键参与者

在一个技术进步无止境的世界中，金属化陶瓷基板已成为关键参与者，使各个行业的创新成为可能。这些多功能材料因其独特的电气、热和机械性能组合，在从电子到航空航天的各种应用中越来越突出。

目前陶瓷基板的主要材料以氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）和氮化硅（Si3N4）三类为主。氧化铝陶瓷基板价格低廉，生产工艺成熟，目前产量最大，应用面最广。但是，氧化铝陶瓷基板的导热性能已无法满足大功率芯片的散热要求。综合来看，氮化铝陶瓷基板与氮化硅陶瓷基板最具发展前景。

陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。

AMB陶瓷基板是DBC工艺的进一步发展，该工艺通过含有少量稀土元素的焊料来实现陶瓷基板与铜箔的连接，其键合强度高、可靠性好。

AMB工艺生产的陶瓷基板主要运用在功率半导体模块上作为硅基、碳化基功率芯片的基底，AMB技术实现了氮化铝和氮化硅陶瓷与铜片的覆接，相比DBC衬板有更优的热导率、铜层结合力、可靠性等，可大幅提高陶瓷衬板可靠性，更适合大功率大电流的应用场景，逐步成为中高端IGBT模块散热电路板的主要应用类型。

此外，由于AMB氮化硅基板有较高热导率，可将非常厚的铜金属（厚度可达0.8mm）焊接到相对薄的氮化硅陶瓷上，载流能力较高。且氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第三代半导体衬底SiC晶体接近，使其能够与SiC晶体材料匹配更稳定，因此成为SiC半导体导热基板材料首选，特别在800V以上高端新能源汽车中应用中不可或缺。

【文章来源】：展至科技

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