随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展，从2017到2022就可以看出，整体国内LED有了突飞猛进的进展。功率也是越来越大，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。为了使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。那么影响氮化铝陶瓷基板导热系数的因素有哪些？

氮化铝是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AIN的晶体结构类型为六方钎锌矿型，具有密度小(3.26g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。AlN是一种强共价键化合物，其热传导机理是晶格振动（即声子传热）。由于Al和N的原子序数小，从本性上决定了AlN具有很高的热导率，其热导率理论值可高达319W/m.K。但在实际产品中，由于AlN的晶体结构不可能完全均匀分布，并存在很多杂质和缺陷，使得其热导率般只有170-230W/m.K。

氮化铝陶瓷的主要特点：

1、导热系数高，是氧化铝陶瓷的5-10倍；

2、热膨胀系数（4.3x10-6℃）与半导体硅材料（3.5-4.0x10-6℃）相匹配；

3、良好的机械性能；

4、优良的电气性能，具有极高的绝缘电阻和低的介电损耗；

5、可进行多层布线，实现封装的高密度化和小型化；

6、无毒、有利于环保；

影响氮化铝陶瓷导热系数的多种因素：

在300k时，氮化铝单晶材料的理论导热系数高达319W（m-k），但在实际生产过程中，由于材料的纯度，内部存在缺陷（位错、气孔、杂质、晶格畸变）、晶粒 导热系数还受取向、烧结工艺等多种因素的影响，往往低于理论值。