如今在氮化铝陶瓷基板是一种改进热管理的技术，而热管理目前限制了基于GaN的射频功率电子设备的性能。电信供应商、汽车行业和功率转换系统制造商都对基于GaN的电子设备越来越感兴趣。尽管太空和军事最终用户正在推动当今的大部分发展，但GaN被广泛视为3G/4G无线基站中高功率放大器的一种有前途的技术。

氮化铝陶瓷基板具有优异的电学和热学性能，被认为是最有前途的高导热陶瓷基板材料。为了密封封装结构、贴装元器件和连接输入输出端子，需要对氮化铝陶瓷基板的表面和内部进行金属化处理。

陶瓷表面金属化的可靠性和性能对陶瓷基板的应用具有重要影响，牢固的结合强度和优良的气密性是最基本的要求。考虑到基板的散热性，还要求金属与陶瓷的界面具有较高的导热性。氮化铝陶瓷表面的金属化方法有薄膜法、厚膜法、高熔点金属化法、化学镀法、直接镀铜法（DBC）等。

让我介绍最常见的方法--直接镀铜（DBC）

直接覆铜是在氮化铝陶瓷表面键合铜箔的一种金属化方法，它是随着板上芯片封装技术的兴起而发展起来的一种新工艺。其基本原理是在Cu与陶瓷之间引入氧元素，在1065~1083℃形成Cu/O共晶液相，再与陶瓷基体和铜箔反应生成Cu(AIO2)2，在中间体中相铜箔与基体的结合是在相的作用下实现的。由于氮化铝属于非氧化物陶瓷，其表面镀铜的关键是在其表面形成AI2O3过渡层，实现有效过渡层作用下铜箔与基体陶瓷之间的结合。

直接覆铜法导热性好，附着强度高，机械性能好，易于大规模生产，但氧化工艺条件不易控制。

氮化铝陶瓷基板金属化是半导体电子、射频器件、功率放大器材料中最理想的散热和封装材料，由于具有高热传导率、高绝缘电阻系数、优良的机械强度及抗热震性等特性，也是成为重要的精密陶瓷材料之一。高性能氮化铝陶瓷基板对大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。