随着电子器件特别是第三代半导体的兴起和应用，半导体器件越来越小型化、集成化、多功能化，对衬底封装性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高导热性和耐热性、低热膨胀系数、高机械和绝缘强度、耐腐蚀和抗辐射等优点，广泛应用于电子器件封装。

由于具有优异的硬度、机械强度和散热性，氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷基板都可以制成用于电子封装的陶瓷基板，同时它们也具有不同的性能和优势。以下就是区别。

1、散热差异

氮化硅陶瓷基板的导热系数为75-80W/m-k，而铝陶瓷基板则在170W/m-k以上，可见氮化铝陶瓷基板的优势。

2、电量差异

氮化硅陶瓷基板的电流容量为300A，铝陶瓷基板为100-300A。

3、机械强度的差异

氮化硅陶瓷基板比氮化铝陶瓷基板具有更好的断裂韧性，不易断裂。此外，氮化硅陶瓷基板具有更高的弯曲强度。氮化铝陶瓷基板的抗折强度为365-420Mpa，氮化硅陶瓷基板为720Mpa。同时，氮化硅基板具有更高的硬度和更好的耐磨性，这将提高机械强度和抗冲击性，使基板更加可靠。

4、应用上的区别

基于氮化硅陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板的性能差异，它们被用于不同的领域。氮化铝陶瓷基板更适用于高导热、高绝缘和大电流应用。

如大功率导热器件、大功率LED模组、半导体模组电路等。氮化硅陶瓷基板机械强度高、导热性好，常用于高强度、低密度、耐磨性好的产品，例如汽车逆变器、减速器和减震器。