近年来，半导体器件沿着大功率化、高频化、集成化的方向迅猛发展。半导体器件工作产生的热量是引起半导体器件失效的关键因素，而绝缘基板的导热性是影响整体半导体器件散热的关键。

而这些年来已经有大规模生产、应用较为广泛的陶瓷基板主要有：AI2O3、AIN、Si3N4、SiC、BeO等。同时，氮化硅陶瓷基板的热导率远大于氧化铝陶瓷，碳化硅MOSFET在新能源汽车的核心电机驱动中，采用了碳化硅MOSFET器件比传统碳化硅IGBT带来5%~10%的续航提升。

如今在应力方面，热膨胀系数与硅很接近，在整个模块内部应力较低，从而提高了高压的IGBT模块的可靠性。氮化硅陶瓷覆铜板因其可以焊接更厚的无氧铜以及更高的可靠性，在未来新能源汽车领域上用于高可靠功率模块中应用比较广泛。无论是氧化铝、氮化铝还是氮化硅等陶瓷基板，均需要根据IGBT需求规格进行选材，并且采用合适的覆铜工作制成板材。

氮化硅是一组具有高强度、断裂韧性、硬度、耐磨性和良好的化学和热稳定性的先进工程陶瓷板。它是一种重要的结构陶瓷材料，具有高硬度、固有润滑性、耐磨性、耐高温、抗氧化用作高档耐火材料。氮化硅陶瓷基板材料具有热稳定性高、抗氧化性强、产品尺寸精度高等优良性能，由于氮化硅是一种键合强度高的共价化合物，它在空气中能形成一层氧化物保护膜，还具有良好的化学稳定性，在1200℃以下不会被氧化。

氮化硅陶瓷物理特性Si3N4是以共价键为主的化合物，键的方向性强，结构中缺陷的形成和迁移需要的能量大，即缺陷扩散系数低（缺点），难以烧结，其中共价键Si-成分为70%，离子键为30%，同时由于Si3N4本身结构不够致密，从而为提高性能需要添加少量氧化物烧结助剂，通过液相烧结使其致密化。

非氧化物烧结助剂的优势在于可以减少额外引入的氧，这对于净化氮化硅晶格，减少晶界玻璃相，提高热导率及高温性能具有重要的意义。3种陶瓷基板材料性能对比相比于其他陶瓷材料来说，氮化硅陶瓷基板具有许多优异的特性，比如具有较高的理论热导率、良好的化学稳定性能、无毒、较高的抗弯强度和断裂韧性等。

以上所述氮化硅陶瓷基板对于新能源汽车再适合不过的，氮化硅陶瓷板可以适应高温高压的工作环境。能及时散去电源系统中的高热量，能适应汽车内部恶劣的环境，保证各大功率负载的正常运行的同时还能保护芯片正常工作。延长电子设备的使用周期，节约更多空间为新能源汽车提供更多可能性。