由于目前LED中广泛使用的是DPC陶瓷基板技术，即利用直接镀膜技术，在AI2O3陶瓷顶层上沉积0.06毫米以下的本铜，以满足LED产品电路的细致要求，强度低。随着LED向大功率、小电流的发展。dpc陶瓷基板已不能满足要求，而直接覆铜DBC陶瓷基板具有良好的机械性能，极好的电绝缘性能力开始逐渐应用于LED产品。

对于DBC陶瓷基板，目前成熟的工艺是0.1毫米~0.4毫米厚的铜，但不能直接用于LED产品，需要采用特殊的加工方式才能将铜层厚度减薄至60μm以下，工序复杂、成本高、铜层厚度不均匀影响产品性能。而覆铜0.1毫米以下，是目前工艺烧结泡沫多，收益率低。

研究中主要目的在于提供一种直接制作铜厚为0.06毫米的DBC陶瓷基板，后续无需再进行加工，直接用于LED产品、制成方法及其制成产品良率高的薄铜DBC陶瓷基板。为了解决上述需要的技术问题，在薄铜制成DBC陶瓷基板的方法中包括了以下步骤：

第一步，用清洗液清洗陶瓷基板和铜片；

第二步，对铜片进行氧化；

第三步，将第一片铜片、第二片铜片依次烧结在陶瓷基板上；

在清洗液为酸碱溶液或去离子水，第一铜片和第二铜片的氧化温度为500℃~900℃，氧化时间为10min~30min，氧化气氛为下氧化气氛氮气保护，其中氧气含量为50ppm~3000ppm。在第一铜片的烧结温度为1060℃~1075℃，烧结时间为20min~35min，气氛为氮气保护的氧化气氛，其中氧气含量为5ppm~40ppm。在第二铜片的烧结温度为1065℃~1080℃，烧结时间为20min~35min，气氛为氮气保护的氧化气氛，其中氧含量为5ppm~40ppm。所以在第一铜片和第二铜片的厚度为0.06mm，所以陶瓷基板的厚度为0.25mm。

    在厚度0.1毫米~0.4毫米铜DBC陶瓷基板不能用于大功率、LED元器件产品的路径，而厚0.06毫米铜DBC陶瓷基板可以满足这一需求。制成的0.06毫米铜的DBC陶瓷基板烧结气泡本发明的薄铜DBC陶瓷基板的制成方法少，成品率高；铜片氧化温度低于厚铜氧化温度；铜片氧化时氧含量大于厚铜氧化时的氧含量高。