随着半导体工业的发展，电力电子器件技术不断朝着高电压、大电流、大功率密度、小尺寸的方向发展，对于一些功率半导体是指在电子设备中用于电源转换或者电源管理的半导体。在对节能减排的需求迫切下，功率半导体的应用领域已从工业控制和4C领域，进入新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。

在国内市场上，氧化铝和氮化铝陶瓷基板已经实现产业化，也相继发展起了一些能稳定批量供货的中型企业，然而对于氮化硅陶瓷基板，国内市场的进度就比较落后，仍未实现氮化硅基板的大批量供货。相对来说国内的氮化硅原材料制备、陶瓷基板批量化工艺研发等技术水平与国外存在较大差距，氮化硅陶瓷基板成为约束我国电动汽车、led照明等重要产业的自主化生产的瓶颈。

高强度的氮化硅绝缘材料可以满足对功率模块中，日益增长的更长使用寿命和更高的热性能的需求。就以电源模块设计为例，其中芯片温度从150℃升至200℃，可将开关损耗降低10%，更高的使用温度对基板的导热能力也提出了更高的要求，加之焊料和无引线键合模块之类的新封装技术让当前的基板（主要是氧化铝及氮化铝）成为薄弱环节，采用具有优异的弯曲强度，高断裂韧性和良好的导热性的氮化硅陶瓷基板可以让器件可靠性更高、热循环能力出色，使用寿命更长。

氮化硅基板厚度影响绝缘性，当氮化硅陶瓷基板厚度减薄为0.30mm时，绝缘性难以得到充分保证，提供了热导率为50W/m-k以上、3点弯曲强度为600mpa以上的高热导率性薄型氮化硅陶瓷基板，厚度为0.1~0.7mm，优选为0.1~0.3mm。氮化硅陶瓷本身具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小、与用油润滑的金属表面相似等诸多优异性能，也是综合性最好的结构陶瓷材料。

如今信息技术的高速发展，集成电路的集成度越来越高，排线密度越来越大。电子封装基板若不能及时散热，大量的热会聚集在集成电路之上，最终导致其失效与损坏，因此基板的导热性能极为重要。氮化硅陶瓷是综合性能最好的结构陶瓷材料。单晶氮化硅的理论热导率可达400W·m以上，具有成为高导热基片的潜力，另外，其优良的力学性能和良好的高导热潜质使氮化硅陶瓷基板有望弥补现有氧化铝、氮化铝等基板材料的不足，在电子封装基板应用方面极具市场前景。