电动汽车和混合动力汽车的共同设计目标是最小化电子元件的尺寸，这就是导致了在更高功率水平下使用更小功率模块的趋势，这总是会导致热问题。即使是最高效率的功率半导体也会产生热能，这是电流通过有源器件（比如IGBT或MOSFET）时的副产品。为了确保可靠性和较长的使用寿命，必须去除热量，这可以通过使用具有高导热性的陶瓷电路基板材料（例如陶瓷基板）来有效地实现。

在必须为给定设备管理的热量将是设备产生的功率的函数，更高的功率水平会产生更多热量。DBC和AMB陶瓷基板具有不同的热导性，例如热阻（Rth）和热导率，这可以作为指导哪种材料更适合不同功率水平的指南。例如，在+20℃时，氧化铝（AI2O3）的热导率为24W/mk，而氮化硅（Si3N4）的热导率为90W/mk。

但对于氮化铝，其导热率为170W/mk，这使其成为必须不惜一切代价散热的极高功率、高功率密度电路的明确选择。当需要低热阻来散发大量热量时，这也可以通过减小陶瓷基板的厚度来实现。

在为EV和HEV寻找电源电路陶瓷基板材料时，要考虑的另一个与材料相关的参数是热膨胀系数（CTE），它描述了不同材料如何随温度膨胀和收缩。由于材料的特定热导率，与两种不同CTE物理连接的两种材料会在温度发生较大变化时承受应力。最佳情况下，应尽量减少CTE中的任何失配，例如硅IGBT或MOSFET及其电路基板的失配，以减少两种不同材料界面处由热引起的机械应力。

幸运的是，陶瓷基板的低CTE（氧化铝为6.8ppm/K，氮化硅为2.5ppm/K，氮化铝为4.7ppm/K）与硅晶体管芯片的低CTE（约2.6ppm/K）兼容。通过形成由陶瓷和铜组合而成的器件引线框架，其CTE低于由裸铜制成的引线框架。使用低CTE陶瓷有阻于补偿用于芯片连接的硅芯片和芯片焊料（CTE约为22ppm/K）之间的CTE不匹配。