氮化铝陶瓷基板主要有优异的电性能和热性能，也被认为是最具有前途的高热导陶瓷基板材料。主要是为封装结构的密封，元器件搭载及输入、输出端子的连接等目的，在氮化铝陶瓷基板表面及内部都需要金属化。

陶瓷表面金属化的可靠性和性能对陶瓷基板的应用有着重要的影响，牢固的结合强度和优良的气密性是最基本的要求。为了考虑到基板的散热性，还要求金属和陶瓷界面处能够具有较高的热导率。氮化铝陶瓷基板表面的金属化方法有：薄膜法、厚膜法、高熔点金属化法、化学镀、直接覆铜法等。

在功率模块是指将多个功率器件芯片以绝缘方式装到金属基板上进行模块化封装的功率半导体产品，无论是IGBT模块还是DC大功率模块，散热材料都是其重要“伴侣”之一，大功率半导体模块在工作中会产生非常大的热量，无论是在工程师采用那种散热方式都是必须将热量先从发热源导出，将热传递材料则是起到了桥梁的作用，而氮化铝陶瓷基板无疑是最好的散热基板选择。

氮化铝陶瓷基板是以氮化铝（AIN）为主要的一种特殊陶瓷，晶体以四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成AI65.81%、N34.19%，比重为3.261g/cm3，氮化铝陶瓷片通常成品陶瓷件颜色为白灰色或灰白色，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。导热系数高达210W/(m.k)，是氧化铝陶瓷基板导热效率的5-8倍，能耐2200℃以上的高温。氮化铝陶瓷基板具有热导率高、机械性能稳定强和优点的电气绝缘性能，具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗，也是新一代大规模集成电路以及功率电子产品的理想导热陶瓷基板材料。

氮化铝陶瓷基板选用了高纯度氮化铝粉体烧结，经干压成型加工，使陶瓷基板具备耐高温磨损、导热绝缘等性能，在进行激光进行陶瓷基板激光切割精加工处理，使其成为适合大功率模组散热使用的导热材料。