如今市场上常见的三维陶瓷基板为低温及高温共烧陶瓷基板[LTCC/HTCC]，这些工艺都是采用了丝网印刷在陶瓷胚片上制备金属线路层，然后将多层生胚片堆叠后烧结而成。虽然LTCC/HTCC基板集成度高，耐热性好，但却存在热导率低、图形精度差、成本高等不足。

  相比之下HTCC/LTCC缺点在于下部陶瓷基板线路层与上部围坝结构均采用丝网印刷布线，其图形精度较低，同时还受丝网印刷工艺限制，在制备的基板围坝厚度[高度]有限。因此三维陶瓷基板仅适用于体积较小、精度要求较低的电子器件封装。

  为了提高三维陶瓷基板围坝精度，首先加工金属环和dpc陶瓷基板，然后通过粘接剂将两者对准贴合并在低热条件下固化，来实现金属环与dpc陶瓷基板粘接。粘接法具有工艺简单、成本低廉和易于批量生产等优势，且制备工艺温度低不会对dpc基板线路层造成损伤。由于有机粘胶耐热性差，且为非气密性材料，因此可靠性较低。

  以上就是三维陶瓷基板难以满足精度、成本及可靠性的应用需求，并且需要开发新型的三维陶瓷基板制备技术。在电镀陶瓷基板dpc是近年来研发的一种新型陶瓷电路板，具有导热、耐热性好、图形精度高、可垂直互连等技术优势，可广泛应用于半导体照明[白光LED]、杀菌消毒[深紫外LED]、[高温电子器件封装]等.

  由于考虑到dpc陶瓷基板金属线路层采用电镀工艺制备，在金属镀层厚度与电流密度及电镀时间成正比。通过增加电流密度，延长电镀时间，可以制备出厚度较大的金属围坝层，从而制备出具有腔体结构的三维陶瓷基板。

  从以上内容中可以看出，采用多层电镀技术制备含金属围坝的三维dpc陶瓷基板[3D],研究了其技术可行性及工艺条件对基板性能的影响。